Neuentwicklung von Bridgestone: SiC-Wafer mit fünf Zoll Durchmesser

Montag, 29. August 2011 | 0 Kommentare
 

Der Bridgestone Corporation es ist eigenen Worten zufolge gelungen, Siliziumkarbid-Wafer mit fünf Zoll Durchmesser zu entwickeln. Damit soll sich eine neue Generation von Hochleistungshalbleitern realisieren lassen, sagt das Unternehmen. Die SiC-Wafer seien langlebiger und widerstandsfähiger gegen hohe Temperaturen als die herkömmlicherweise als Halbleitersubstrat zum Einsatz kommenden Silizium-Wafer.

Bridgestone erwartet, dass die neuartigen SiC-Wafer ihre Vorteile vor allem bei Elektronikanwendungen im Automobil- und Energiesektor ausspielen können. Gezeigt werden sie unter anderem bei der am 11. September in den USA beginnenden Tagung ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials).

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Kategorie: Produkte

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